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参数目录41156
> SQD23N06-31L-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
型号:
SQD23N06-31L-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 60V TO252
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SQD23N06-31L-GE3 PDF
标准包装
2,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
845pF @ 25V
功率 - 最大
37W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252,(D-Pak)
包装
带卷 (TR)
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